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超临界二氧化碳在清洗硅片中的应用

2019-01-03 09:26:05 保定市全一电子设备有限公司 阅读

       超临界二氧化碳对非极性有机化合物有极强的溶解能力,它能够有效地去除基片上的油脂和手指触摸痕迹。超临界二氧化碳清洗后不留下任何残留溶剂,而且不像水基溶剂清洗那样使基片表面氢基化。对硅片表面微粒清洗的动力学研究表明,良好的清洗效果取决于剪切力、高压和微粒的溶解。为了彻底的去除有机微粒,常常在超临界二氧化碳中添加助溶剂。虽然助溶剂的作用机理比较复杂,尚待深入研究,但其对溶解度的明显的增强效果,已被实验所证实。在温度为60摄氏度时,从对不同含量的助溶剂对萘普生在超临界二氧化碳中的溶解度的影响可看出,随着助溶剂含量的增加,萘普生的溶解度有了很大的增强,而且压力越高,溶解度的增强作用越明显。

       为了去除硅片上的痕量金属离子,常常添加金属螯合剂。超临界二氧化碳清洗辅以能形成逆微乳胶的表面活性剂,可以大大增加对离子型和极性组分的溶解能力,而且可以通过调节表面活性剂的浓度,来调节清洗的选择性。

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