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含氢水在硅晶片清洗中的应用

2018-12-22 16:03:24 保定市全一电子设备有限公司 阅读

硅晶片在加工过程中在表面上不可避免的沾染上三氧化二铝、二氧化硅等颗粒状污垢,这些污垢会对半导体材料的性能产生严重的不良影响,所以必须加以清除,半导体行业对允许残留的微粒直径大小和数量都有严格的限制。随着半导体材料加工精度的提高,半导体元件的体积越来越小,对允许残留的最大微粒直径要求也越来越高。

       长期以来半导体工业中清洗采用的大部分都是RCA工艺,其中用于去除颗粒状污垢采用的是SC-1工艺,即用29%浓度的氨水、30%浓度的过氧化氢与水按照1:1.5到1:1.7的比例配成的清洗剂在75-85度的温度下对硅晶片清洗10-20分钟,此种方法虽然对出去颗粒状污垢有较好效果,但是存在着耗费化学药品多,对环境不良影响大,用化学药剂处理后要用大量的去离子水把残留药剂冲洗干净,造成生产成品高的缺点,目前各国都在研究替代工艺,用含氢水替代SC-1清洗剂就是一种新型的替代工艺。

       通过用含氢水和SC-1清洗剂去除颗粒状污垢的对比试验得出以下结论:SC-1清洗剂的清洗效果不太理想,在处理3分钟后只取得60%的清洗效果,而用含氢水清洗30秒即可取得清除率达到95%的效果,3分钟后所有的颗粒污垢全部被清除。用含氢水不仅对颗粒污垢清除速度快,而且对硅晶片的损伤也比SC-1清洗剂小,不会再硅晶片表面形成二氧化硅的氧化层。

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