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硅片气相清洗方法分类

2018-12-10 10:06:57 保定市全一电子设备有限公司 阅读

       硅片清洗时与气相接触并且清除的污垢进入气相的,把这种清洗称为气相清洗。气相清洗与集成电路的各个工序过程结合的更紧密,由于集成电路的各个清洗工序也是干法清洗,所以在集成电路制备过程的某个工序的前后也可进行气相清洗。

       气相清洗从作用原理上可分为物理法和化学法,但有时也把物理作用与化学作用相结合。物理清洗和化学清洗的机理不同,物理清洗通过力、光、 热、机械等作用去除污垢,而化学清洗过程中有新的化学物质产生。

       利用物理清洗硅片表面的污垢,最常用的方法是:利用加热或降低气压的方法使固态污垢发生蒸发或挥发使污垢由固态转变为气相,或使固态污垢发生升华,利用氩气的正离子流进行喷射刻蚀使固体污垢脱离硅片表面。

       利用化学作用将污垢从硅片表面去除的常用方法是:使用氟化氢气体与硅片表面的天然和化学二氧化硅氧化膜反应将其去除,使用氯气与硅片表面的金属污垢反应生成易挥发的金属氯化物从而将污垢去除。

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