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不同污垢气相清洗方法

2018-08-09 15:31:27 保定市全一电子设备有限公司 阅读

       研究表明气相清洗方法可将硅片表面的有机污垢、氧化层、金属污垢有效去除,但对于颗粒和离子性污垢的直接去除效果相对较差,通常是在硅片表面的氧化层去除的同时把这些污垢去除。

       1、去除有机污垢:用于干法清除有机污垢的方法:利用加热升高温度和减压或真空的物理作用;利用等离子清洗,如利用氧气形成的等离子体对粗、细有机污垢都有很好的去除效果,而用非活性物质形成的等离子体对高聚物的残留物有很好的去除效果,用紫外线与臭氧作用结合对有机污垢也有很好的去除效果。

       2、去除硅片表面形成的天然氧化层或化学氧化层:最常使用的是氟化氢蒸汽清洗,研究发现当氟化氢蒸汽中含有适量水蒸气时去除氧化层的效果更好,所以经常采用HF和水的混合蒸汽进行清洗。

       3、去除金属污垢:可采用HCL、HF、和H2O的混合蒸汽进行气相清洗,也可利用在紫外光激励下的氯气进行气相清洗,还可以利用远程控制的HCL等离子体进行清洗。之所以通常使用含氯的物质,是因为生成的金属氯化物的沸点都较低,容易在加热的情况下挥发而被去除。

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