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保定全一浅谈含氢水在硅晶片清洗中的应用

2018-03-15 09:15:18 保定市全一电子设备有限公司 阅读

       硅晶片在加工过程中在表面上不可避免地沾染上三氧化二铝、二氧化硅等颗粒状污垢,这些污垢会对半导体材料的性能产生严重的不良影响,所以必须加以清除。半导体行业对允许残留的颗粒直径大小和数量都有严格的限制,对于内存为64K到16M的产品一般要求微粒直径在加工线宽的1/10以下,而对内存64M以上的产品要求还要更高。

    随着半导体材料加工精度的提高,半导体元件的体积越来越小,对允许残留的最大微粒直径要求也越来越高,如内存为1G产品加工线宽已缩小到0.15um,允许残留的最大微粒直径在0.01um,所以随着半导体材料加工精度的提高,对微小固体颗粒的清洗要求也越来越高。

    长期以来半导体工业中清洗采用的都是RCA工艺,其中用于去除颗粒状污垢采用的是SC-1工艺,这种方法虽然对去除颗粒状污垢有较好效果,但存在着耗费化学药品多,对环境不良影响大,用化学药剂处理后要用大量的去离子水把残留药剂冲洗干净,造成生产成本高的缺点,目前各国都在研究替代工艺,用含氢水替代SC-1清洗剂就是一种新型的替代工艺。用含氢水不仅对颗粒污垢清除速度更快,而且对硅晶片的损伤也比SC-1清洗剂小,不会对硅晶片表面形成二氧化硅的氧化层。随着清洗机设计制造水平的提高,含氢水制备技术的普及,含氢水将会在清洗半导体硅片中得到越来越多的应用。

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