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硅片各种清洗方法阐述

2017-11-06 15:35:01 保定市全一电子设备有限公司 阅读

       在硅片加工及器件制造过程中,硅片表面往往会受到污染,若不及时处理便会影响后续工艺,因此有效清洗硅片表面污物成为一个关键步骤。到目前为止,硅片清洗方法分为许多种,工业生产中使用较多的主要由以下几种:

1、湿式化学清洗法

      该清洗方法存在诸多弊端:例如硅片表面清洗涉及到许多化学试剂,其处理均在高温环境下进行,要消耗大量的液体化学品和超纯水,同时要消耗大量空气来抑制化学品蒸发,使之不扩散到洁净室。由于化学试剂的作用,加大了硅片的粗糙度。

2、机械刷片法

      保存时间短,且效率低。

3、超声波清洗法

      超声波清洗是半导体工业中广泛应用的一种清洗方法。超声波清洗具有清洗速度快、质量高、不受清洗工件表面复杂形状的限制,易于实现遥控和自动化的优点。

4、气相干洗法

     气相干洗可用于去除硅片表面粒子并减少在清洗过程中的粘污,它是粒子中性的,虽然蒸汽可除去自然氧化物,但不能去除金属粘污。

5、旋转喷淋法

      该方法利用所喷液体的溶液或化学反应作用来溶解硅片表面的粘污,同时利用高速旋转的离心作用,使溶有杂质的液体及时脱离硅片表面,这样硅片表面的液体总保持非常高的纯度,但是耗水量太大。

      由以上叙述可知,硅片清洗方法都有自身的缺陷和优点,为达到硅片理想的清洗效果,应将硅片清洗方法进行组合,找出最佳清洗工艺。

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