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影响硅外延生长的几大因素

2017-10-14 09:01:17 保定市全一电子设备有限公司 阅读

1、SiCL4浓度对硅生长速率的影响:

       通过大量实验表明:随着SiCL4浓度增加,生长速率先增大后减小。

2、温度对生长速率的影响:

       当温度较低时,生长速率随温度升高而呈指数变化。在较高温度区,生长速率随温度的变化较平缓,并且晶体完整性较好,但高温生长对抑制自掺杂不利。

3、气流速度对生长速率的影响:

       在反应物浓度和生长温度一定时,水平式反应器中的生长速率基本上与总氢气流速的平方根成正比。对于立式反应器,在流速较低时生长速率也有与总氢气流速平方根成比例的关系,但流速超过一定值后,生长速率达到稳定的极限值而不再增加。

4、衬底晶向的影响:

       不同晶向的衬底其表面原子晶格排列不同,因此外延生长速率也不相同。

      

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