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硅片的主要不良缺陷

2017-06-27 14:11:44 保定市全一电子设备有限公司 阅读

硅片的主要不良缺陷表现在以下几个方面:

1、外观不良:外形、线痕、硅落、崩边、边缘、微晶、孪晶、应力、脏污、隐裂、穿孔等;

2、性能不良:电阻率、少子寿命、厚薄不均、翘曲度、碳氧含量等;

3、线痕不良:线痕按表现形式分为杂质线痕、划伤线痕、密布线痕、错位线痕、边缘线痕、台阶性线痕等。各种线痕产生的原因如下:

杂质线痕:由多晶硅锭内杂质引起,在切片过程中无法完全去除,导致硅片上产生相关线痕。

划伤线痕:由砂浆中的SIC大颗粒或砂浆结块引起,切割过程中,SIC颗粒卡在钢线和硅片之间,无法溢出,造成线痕。

密布线痕:由于砂浆的磨削能力不够或者切片机砂浆回路系统问题,造成硅片上出现密集线痕区域。

错位线痕:由于切片机液压夹紧装置表面有砂浆等异物或者托板上有残余胶水,造成液压装置与托板不能完全夹紧,以及托板螺丝松动而产生的线痕。

边缘线痕:由于硅块倒角处余胶未清理干净而导致的线痕。

台阶性线痕:台阶的出现,是由切片过程中的钢线跳线引起,而导致钢线跳线的原因,包括设备、工艺、物料等各方面的问题。

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