硅片的主要不良缺陷

硅片的主要不良缺陷表现在以下几个方面：

1、外观不良：外形、线痕、硅落、崩边、边缘、微晶、孪晶、应力、脏污、隐裂、穿孔等；

2、性能不良：电阻率、少子寿命、厚薄不均、翘曲度、碳氧含量等；

3、线痕不良：线痕按表现形式分为杂质线痕、划伤线痕、密布线痕、错位线痕、边缘线痕、台阶性线痕等。各种线痕产生的原因如下：

杂质线痕：由多晶硅锭内杂质引起，在切片过程中无法完全去除，导致硅片上产生相关线痕。

划伤线痕：由砂浆中的SIC大颗粒或砂浆结块引起，切割过程中，SIC颗粒卡在钢线和硅片之间，无法溢出，造成线痕。

密布线痕：由于砂浆的磨削能力不够或者切片机砂浆回路系统问题，造成硅片上出现密集线痕区域。

错位线痕：由于切片机液压夹紧装置表面有砂浆等异物或者托板上有残余胶水，造成液压装置与托板不能完全夹紧，以及托板螺丝松动而产生的线痕。

边缘线痕：由于硅块倒角处余胶未清理干净而导致的线痕。

台阶性线痕：台阶的出现，是由切片过程中的钢线跳线引起，而导致钢线跳线的原因，包括设备、工艺、物料等各方面的问题。

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